人才项目推介解决了“招什么项目、围绕哪些关键环节招、招揽哪些人才”等问题。通过定位优质人才项目及区域发展所重点关注的产业，解构产业图谱，结合地方现有产业基础与优势分析出亟需解决的瓶颈问题和所需引入的配套或互补性产业环节，并能够根据需求实现全范围内人才搜索，锁定高潜力创业人才项目。
新材料人才项目线索
所属领域：新材料、半导体、新能源产业
联络人信息：见文末
项目一 | AMOLED显示领域的革新者
项目简介
本项目团队聚焦于显示面板设计、系统集成及关键元器件制造等领域,助力柔性显示面板在智能手机领域实现商业化，解决柔性显示领域的卡脖子难题。本团队的柔性显示面板均为自主设计，与韩国三星等竞手相比，该面板良品率由80%提至90%，返修率由 10%降至5%，最高亮度由350nits提至600nits。
团队情况
电子科技大学，博士港中文电子信息博士、市场营销硕士中国工程院院士分别担任本团队的技术顾问、产业顾问和商业顾问。团队拥有多位集成电路技术专业博士，申请发明专利20项、实用新型专利1项、SCI论文32篇，并拥有多年显示面板设计、芯片设计等资深经验。
优势
本团队已与产业的上下游企业建立良好合作关系。与国产EDA工具的龙头企业华大九天达成EDA工具使用权协议、与铁幕竞屏达成柔性面板的设计协议、TCL华星光电达成像素电路模块的技术服务协议。项目负责人作为发明人和申请人，申请发明专利100余项，已授权50余项，本团队显示面板的显示效果、返修率、色域等多项面板参数均优于竞品厂商。
所处阶段
已进入量产化阶段
项目二 | 第三代半导体氮化镓(GaN)材料
项目简介
主要产品为硅基氮化镓、单晶氮化镓、单晶氮化铝材料，具有高光电转化效率；具备构建完整产业链能力；具备量产条件，硅基氮化镓、单晶氮化镓设备到位后6-12个月内可直接进入量产产状态。
团队情况
核心成员均来自中科院半导体研究所及世界500强企业。创始人团队有丰富的企业运营管理经验、客户市场资源，以及强大的研、产、销资源整合能力。研发团队拥有多名在国内外氮化镓与AlN晶圆工艺、激光剥离、设备设计等技术领域的优秀技术人才。技术带头人为半导体材料及材料物理学家，中国科学院院士，中国半导体领域的领军人，也是当前中国半导体领域最具资格最具权威的专家，中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师，曾任中科院半导体所副所长，半导体材料专家组组长。
优势
设备制造、生长工艺具有独立自主知识产权，水平反应腔室，有效抑制热对流，降低预沉积，提高材料表面质量和利用率；有效加长高温区域，提高材料生长质量，减低热翘曲；具有独立自主的材料生长工艺，在生长过程中，调整多层气体流动，使水平腔体流场更加多变；具有独立自主的激光剥离技术，采用多波长、多脉冲相结合激光剥离技术；通过改进半导体制备设备，形成具有自主知识产权的半导体生产装备。
所处阶段
已进入量产化阶段，市场推广
项目三 | 新型负碳能源气体供应商
项目简介
基于自研技术，针对工业大规模用氢气/合成气需求，提供分布式制氢技术解决方案：以附近50km半径以内的工业剩余物为原料，使用自研技术对应的自研软硬件设备、系统控制技术及工艺，通过瞬时汽化（0.1秒反应完成），实现规模化超低价15元/kg制绿氢，低半径就地销售工业能源气体，形成本地域闭环Cycle。
团队情况
团队结构完善，具备从技术研发、工程交付、设备生产、商业化完整交付背景。冶金气化Top 1团队。创始人博士师从冶金气体改良领域第一人，在业内20年间先后担任教研、化工企业、地方政府、科研院所机关的负责人，技术方案荣获“国际绿色化学化工大赛第二名”。“Xprize国际碳移除大赛中国赛区第二名(Elon Musk埃隆·马斯克主办)”。
优势
技术壁垒：技术实现分布式、大规模、低成本制取绿氢/工业合成气/合成石油。“多”-实现分布式、规模化制氢；“快”-瞬时气化技术，将传统的14天反应期极致压缩到0.1秒；“好”-直接产出合成气为优质冶金燃料；“省”-单位制绿氢成本仅为15元/kg H2。
所处阶段
已进入量产化阶段，已与十余个大型钢铁冶金企业、国外化工巨头、各地政府达成合作
项目四 | 半导体外延托盘
项目简介
公司依托科研院校技术积累，专注半导体新材料研发与生产，拥有碳化硅涂层生产工艺和设备设计的核心技术，解决半导体外延托盘被国外“卡脖子”现状。
团队情况
团队领导人长期从事先进材料研究，包括石墨烯，碳化硅等先进碳基材料生长及物性研究。迄今在多个国际顶级学术期刊发表了30余篇论文、综述性论文2篇（如：Nature Materials, Nature Communications, Phys. Rev. Lett., PNAS等），单篇引用超600+次，文章总引用超2000次，并受邀于美国March Meeting、日本半导体年会、香山会议等多个国内外重要学术会议作主题报告。已主持5项国家自然科学基金委面上项目，参与多项科技部973项目和国家重点研发计划。
优势
公司致力于半导体新材料研发，聚焦碳化硅涂层技术的研发及其在半导体产业中的应用。公司主要产品为LED芯片外延用SiC涂层基座、硅单晶外延基座，碳化钽涂层，TaC涂层。用于LED芯片外延及硅单晶基立方化硅薄膜为立方相碳化硅，拥有与金刚石相同的晶格结构，其硬度也仅次于金刚石。碳化硅是最成熟的宽禁带半导体材料，在半导体电子产业中有着广阔的应用前量，此外，碳化硅导热系数高，热膨胀系数小，且有耐高温(约1600摄氏度)，耐腐蚀的优良物理化学性能。公司生产的其他碳化硅涂层产品在航空航天，光伏产业，核能源，高铁，汽车等行业也有着广泛应用。
所处阶段
已进入量产化阶段
项目五 | 大功率紫外LED图形化芯片产业化
项目简介
主要产品为大功率紫外LED图形化芯片通过在蓝宝石衬底上溅射AlN层，然后将AlN层经过退火后，再在退火后的AlN层上形成纳米图案，从而制作得到纳米级图形化衬底。
部分团队成员资历一览
华中科技大学物理电子学博士，瑞典乌普萨拉大学研究员。曾在武汉光迅科技股份有限公司担任研发经理，拥有丰富的高科技企业管理经验，对光电子领域有广泛的理解和深刻的认识。
华中科技大学光学工程博士，华中科技大学武汉光电国家研究中心副研究员，中国科学院上海技术物理研究所博士后。研究领域包括宽禁带半导体材料(GaN等)的生长及相关光电器件的研究。
德国埃尔兰根-纽伦堡大学博士。华中科技大学、武汉光电国家研究中心教授，博士生导师。曾参与创办多家高科技企业，拥有丰富的研发经验。技术顾问。
华中科技大学博士后。华中科技大学、武汉光电国家研究中心教授、博士生导师。曾主持多项国家重点研发项目，发表相关国际论文50余篇。技术顾问。
优势
（1）在纳米图形化衬底上生长无裂纹的厚膜AlN层，纳米图形化衬底的实现是通过步进光刻机和ICP的刻蚀，其图案可以得到良好的控制和复制。AlN外延层的厚度可超过10微米，表面达到了原子级平整，从而可改善LED的内量子效率。
（2）在蓝宝石背面制备的蛾眼微结构能有效改善深紫外LED的光提取效率和外量子效率，适合制备大功率发光芯片。
所处阶段
已进入量产化阶段
新材料产业分析
新材料产业包括新材料及其相关产品和技术装备。具体涵盖：新材料本身形成的产业、新材料技术及其装备制造业、传统材料技术提升的产业等。
与传统材料相比，新材料产业具有技术高度密集，研究与开发投入高，产品的附加值高，生产与市场的国际性强，以及应用范围广，发展前景好等特点，其研发水平及产业化规模已成为衡量一个国家经济，社会发展，科技进步和国防实力的重要标志，世界各国特别是发达国家都十分重视新材料产业的发展。
按照应用领域来分，一般把新材料归为：信息材料（如集成电路基半导体材料）、能源材料（如新能源材料）、生物材料、汽车材料、纳米材料与技术、超导材料与技术、稀土材料、新型钢铁材料、新型有色金属合金材料、新型建筑材料、新型化工材料、生态环境材料、军工新材料等13个大类。
目前我国的新材料产业正处于由大到强转变的关键时期，年均复合增速达到21.2%，新材料产业发展正处于黄金时代，新材料产业整体受到市场大高度青睐。从宏观角度看，全球新材料市场的重心正逐步向亚洲地区转移。
新材料是国际竞争的重点领域之一，也是决定一国高端制造及国防安全的关键因素。长期以来，新材料产业的创新主体是美国、日本和欧洲等发达国家和地区，中国、韩国、俄罗斯紧随其后，目前属于全球第二梯队。
我国新材料产业发展潜力巨大，一方面战略性新兴产业的快速发展将带动新材料产业的市场需求。另一方面，我国传统产业的结构调整，迫切需要以新材料来作为新的增长点。
项目联系人：刘先生 13504261531
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